KAIST, 열을 전기로 변화하는 하프호이즐로 나노구조 제어 성공

[이뉴스코리아 이정민 기자] KAIST 연구진이 하프호이즐러 열전재료의 나노구조를 제어하는 새로운 방법을 개발해냈다. 해당 방법을 이용하면 기존방법 대비 열 전도도는 3배 이상 감소하고, 열전성능의 획기적인 증대가 가능해진다.

KAIST 신소재공학과 최벽파 교수 연구팀이 경북대 신소재공학과 이승훈 교수 연구팀과 공동연구를 통해 준 안정상을 활용, 하프호이즐러 열전재료의 나노구조를 제어하는 새로운 방법을 개발했다고 11일 밝혔다.

준 안정상이란 어떤 물질의 가장 안정한 상(고체, 액체, 기체 등)은 아니지만 꽤나 안정하여 유지되는 상을 이야기는 단어고, 하프호이즐러(half-Heusler) 화합물은 금속 간 화합물(합금)의 일종으로 열전발전, 태양광 발전, 자성재료 등의 에너지 재료로 각광을 받는 물질이다. 열전발전은 온도 차에 의해 생긴 전위차를 이용해 전기를 생산하는 발전방식을 말한다.

여기에, 열전 소자는 열에너지를 전기로 직접적으로 변환시키는 에너지 소자다. 소자의 양단에 온도 차가 존재할 때 내부의 전하가 이동함으로써 전기를 발생시킨다.

좋은 열전의 재료가 되기 위해서는 소자 양단의 온도 차는 오래 유지돼야 하고 전하는 잘 이동해야 하므로 열전도도는 낮아야 하고 전기 전도도는 높을 필요가 있다.

하프호이즐러 물질은 열전재료 중 하나로 에너지의 생산, 소비 과정에서 사용되지 못하고 버려지는 폐열이 풍부하고 중온 영역(300~800℃)에서 높은 효율의 열전발전이 가능하다. 특히 열 안정성과 기계적 특성(강도)이 우수하고 온도 차이를 전력으로 변환하는 정도인 제벡 계수가 높고, 출력 계수 역시 높은데, 그럼에도 불구하고 독성이 없고 지구에 풍부하게 매장된 원소로 이뤄져 있다.

하프호이즐러 열전재료의 제조광정을 나타낸 모식도 (사진제공=KAIST)

이처럼, 다양한 장점을 가지고 있지만, 상대적으로 높은 열전도도로 인해 낮은 열전성능을 갖는다는 단점을 가지고 있다.

열 전도도를 낮추기 위해서는 입자의 산란을 극대화해야 하는데 이를 위해서는 서로 다른 상의 경계를 만든 후 나노 결정화를 통해 달성할 수 있다. 이 때문에 기존에는 하프호이즐러 합금을 제조한 뒤 물리적으로 파쇄해 나노분말을 제조하고 이를 가열해 굳히는 방법을 사용해왔다. 하지만 이 방법은 나노결정의 크기 제어는 물론 복잡한 미세구조 형성이 어렵기 때문에 열전도도를 획기적으로 감소시키기는 어렵다.

이번 연구는 이러한 문제해결을 위해 시작됐다. 준 안정상(비정질)의 결정화 방법을 활용했다. 준 안정상은 안정상에 비해 상대적으로 덜 안정한 상을 의미하는데 열처리를 통해 안정상(고체, 액체, 기체 등)으로 쉽게 상변화를 일으킬 수 있다. 이때, 열처리 온도에 따라 준 안정상의 결정화 거동은 다양하게 변화하고 이를 이용해 나노결정의 크기와 상을 제어할 수 있게 된다.

구체적으로 연구팀은 급속냉각 공정을 이용해 하프호이즐러(NbCo1.1Sn) 조성을 가진 비정질을 제조한 뒤 비교적 저온에서 짧은 열처리를 통해 하프호이즐러 물질 내부에 풀호이즐러(NbCo2Sn) 나노 석출물이 존재하는 복잡한 나노구조를 생산해냈다.

연구팀이 새로 개발한 이 방법은 기존의 방법과는 달리 고온에서의 장시간의 열처리가 필요 없으므로 쉽고 경제적이면서도 더욱 복잡하고 세밀한 나노구조의 형성이 가능해진다.

연구팀은 특히 이번 연구에서 3차원 원자 탐침 현미경(Atom probe tomography)과 투과 전자 현미경(Transmission electron microscope)을 활용했는데 하프호이즐러 물질 내부에 존재하는 수 나노미터의 풀호이즐러 석출물의 존재를 규명하는 데도 성공했다.

원자탐침현미경을 통해 호이즐러 석출물을 분석한 사진 (사진제공=KAIST)

KAIST 신소재공학과 정찬원 박사과정이 제1 저자로 참여한 이번 연구는 국제학술지인 `나노 에너지(Nano Energy, IF: 16.602)’ 10월 20일 자 온라인 판에 실렸다. (논문명: Tailoring nanostructured NbCoSn-based thermoelectric materials via crystallization of an amorphous precursor)

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